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MOS管并联工作原理和注意事项 MOS管并联方法电路图
2023-10-30 03:01:08
并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中
在图1中，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下：
在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送人4比较器
LM339，作为判断是否过流的依据：只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。
在图1中，如果在PWNin驱动脉冲加入后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，而且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2又开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过MOS1的电流小于其限制值，于是过流信号消失，PWNin驱动脉冲开度加大，直至电流重新到达MOS1或MOS2的电流限制点后，PWNin驱动脉冲才会停止增加。以后MOS3导通的又重复上述的电流分配过程，直至到达新的电流平衡。同理，可分析MOS管任何时刻单个或多个导通时电流的自行分配过程。
1、饱和压降VDs或导通RDSon：对所有并联的MOS管而言，导通时其管压降是相同的，其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的电流，随着结温的升高，管压降逐渐增大，则流过管压降大的MOS管的电流又会逐渐增大，从而减轻管压降小的MOS管的工作压力。因此，从原理上讲，由于N沟道功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具有正的温度特性，是很适合并联的。
2、开启电压VGS（th）：在同一驱动脉冲作用下，开启电压VGS（th）的不同，会引起MOS管的开通时刻不同，进而会引起先开通的MOS管首先流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则对MOS管的安全工作造成威胁；
3、开通、关断延迟时间Td（on）、td（off）；开通上升、关断下降时间tr、tf：同样，在同一驱动脉冲作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也会引起MOS管的开通／关断时刻不同，进而会引起先开通／后关断的MOS管流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则同样对MOS管的安全工作造成威胁。
4、驱动极回路的驱动输入电阻、等效输入电容、等效输入电感等，均会造成引起MOS管的开通／关断时刻不同。从上所述，可以看出，只要保证无论在开通、关断、导通的过程流过MOS管的电流均使MOS管工作在安全工作区内，则MOS管的安全工作得到保障。为此，本文提出一种MOS管的新的并联方法，着重于均流方面的研究，可有效的保证MOS管工作在安全工作区内，提高并联电路的工作可靠性。
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是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极
类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成
。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应
起来，从而实现更大电流负载的开关，这种应用也比较广泛了，但是其中存在一些问题需要我们
为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极
原文来自公众号硬件工程师看海 加微信[chunhou0820]，拉你进群 下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，
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）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道
的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的
开关实现的功能1
信号切换2
关键点：1
效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动
